1290 nm 半導体レーザー – CWもしくはパルス- 最大120mWの4つの DFB モデル

1290 nm DFBレーザーダイオード - バタフライモジュール

これらのファイバ結合1290nm半導体レーザーは在庫品として提供されるほか低ノイズのCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて使用することもできます。 最大120mWの4つの単一周波数バージョン(DFB半導体レーザー) また、当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があり、通信や3Dセンシングの研究開発に最適なソリューションです。

これらのシングルモード1290mn 半導体レーザーはナノ秒パルスで最大250mWの高出力に達します。 ほとんどのターンキー・ダイオード+ドライバ・ソリューションは、パルス幅1ナノ秒までのシングル・ショットからCW性能まで最適化されています。 1290nmレーザーの精密なパルスはドライバに搭載されたパルジェネレータによって内部から生成されるか、外部のTTL信号からオンデマンドで生成されます。 複雑なバースト形状の生成が容易になる。

From: 200

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Price (ex VAT)
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1290 nm DFBレーザーダイオード - バタフライモジュール
モデル1(10 mW)
PN :
1290LD-1-0-0

1290nm 10mW バタフライ半導体レーザー FC-APCコネクタ付きSMF28ファイバー。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

1 345
今日
Max:
Min: 1
Step: 1
オプション:モデル1のPMファイバー
PN :
オプション-PM1

このオプションでは、モデル1は、標準のSMF28の代わりに偏波保持PM1300ファイバーで提供されます。 コネクターキーも光の偏光も、スロー軸に沿って配置されている(この業界では標準的な構成)。

200
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
”CCS-CW"ドライバーを搭載した
PN :
1290LD-1-1-1

1290nm 10mW バタフライ半導体レーザー付きのオープンCWドライバ FC-APCコネクタ付きSMFファイバー。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

3 440
2〜5日
Max:
Min: 1
Step: 1
モデル1(10 mW)"CCS" ドライバーを搭載した
PN :
1290LD-1-2-1

1290nm 10mW バタフライ半導体レーザー付きのオープンパルス&CWドライバ FC-APCコネクター付きSMFファイバー;パルス幅1.5 nsまで;パルス繰り返し周波数4 MHzまで。 OPTION 2(250 MHzバージョン-下記参照)と互換性あり。PMバージョンもあり(Optionを選択)、1270~1650 nmの他の波長でも使用可能-これらの特殊波長バージョンについてはお問い合わせください。

4 340
2〜5日
Max:
Min: 1
Step: 1
モデル1(10 mW)"シェーパー" ドライバーを備えた
PN :
1290LD-1-3-1

1290nm 10mW バタフライ半導体レーザー付きのオープンパルスドライバ 分解能0.5 ns、パルス幅最大8 µsのナノ秒パルス形状をユーザー設計可能(AWGパルス発生器を内蔵)。 パルス幅1.5 nsまで。 最大20 MHzのパルス繰り返しレート。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

6 340
1〜2週間
Max:
Min: 1
Step: 1
1290 nm 半導体レーザー CCSI モジュール
モデル1(10 mW)"CCSI-CW" モジュール
PN :
1290LD-1-1-2

1290nmCWレーザーダイオード内蔵型ターンキーモジュール CWパワーは最大10mW。 FC/APC出力コネクタ付きSMFメタル保護ファイバー出力。 オプション-1(3mmコリメーター)およびオプション-3(ベンチトップバージョン)に対応。
PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

4 640
1〜2週間
Max:
Min: 1
Step: 1
1290 nm 半導体レーザー CCSI モジュール
モデル1(10 mW) "CCSI" モジュール
PN :
1290LD-1-2-2

1290nmパルス&CWレーザーダイオード内蔵型ターンキーモジュール FC/APC出力コネクタ付きSMFメタル保護ファイバー出力。 CW出力は最大10mW。 パルス幅1.5 nsまで。 最大4MHzのパルス繰り返しレート。 オプション-1(3mmコリメーター)、オプション-2(250MHzバージョン)、オプション-3(ベンチトップバージョン)に対応 - 下記参照。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

5 540
1〜2週間
Max:
Min: 1
Step: 1
Picture
ShortPN
Description
Docs
Price
Avalaible
Qty
1290 nm DFBレーザーダイオード - バタフライモジュール
モデル2(40 mW)
PN :
1290LD-2-0-0

1290 nm 40 mW バタフライ半導体レーザー単体 FC-APCコネクタ付きSMFファイバー。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

1 995
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
オプション:モデル2のPMファイバー
PN :
オプション-PM2

このオプションでは、モデル2は標準のSMF28の代わりに偏波保持PM1300ファイバーが提供されます。 コネクターキーも光の偏光も、スロー軸に沿って配置されている(この業界では標準的な構成)。

300
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
モデル2(40 mW)"CCS-CW" ドライバーを搭載
PN :
1290LD-2-1-1

FC/APCコネクタ付きSMFファイバ1290nmバタフライ半導体レーザー搭載オープンCWドライバ 最大40mWのCW光パワー。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

4 090
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
モデル2(40 mW)"CCS" ドライバーを搭載
PN :
1290LD-2-2-1

FC/APCコネクタ付きSMFファイバ1290nmバタフライ半導体レーザー搭載オープンパルス&CWドライバ 最大40mWのCW光パワー;最大1.5nsのパルス幅;最大4MHzのパルス繰り返し周波数。 OPTION2(250MHzバージョン)と互換性あり。PMバージョンもあり(Optionを選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

4 990
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
モデル2(40 mW) "Shaper" ドライバー
PN :
1290LD-2-3-1

1290nm 40mW半導体レーザー搭載オープンパルスドライバ 分解能0.5 ns、パルス幅最大8 µsのナノ秒パルス形状をユーザー設計可能(AWGパルス発生器を内蔵)。 パルス幅1.5 nsまで。 最大20 MHzのパルス繰り返しレート。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

6 990
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
1290 nm 半導体レーザー CCSI モジュール
モデル2(40 mW)"CCSI-CW" モジュール
PN :
1290LD-2-1-2

1290nm半導体レーザー内蔵ターンキーCWモジュール CWパワーは最大40mW。 FC/APC出力コネクタ付きSMFメタル保護ファイバー出力。 オプション-1(3mmコリメーター)に対応。 およびオプション3(ベンチトップ仕様)に対応。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

5 290
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
1290 nm 半導体レーザー CCSI モジュール
モデル2(40 mW)"CCSI" モジュール
PN :
1290LD-2-2-2

1290nmパルス&CWレーザーダイオード内蔵型ターンキーモジュール FC/APC出力コネクタ付きSMFメタル保護ファイバー出力。 CW出力は最大40mW。 パルス幅1.5 nsまで。 最大4MHzのパルス繰り返しレート。 オプション-1(3mmコリメーター)、オプション-2(250MHzバージョン)、オプション-3(ベンチトップバージョン)に対応。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

6 190
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
Picture
ShortPN
Description
Docs
Price
Avalaible
Qty
1290 nm DFBレーザーダイオード - バタフライモジュール
モデル3(100mW)
PN :
1290LD-3-0-0

1290 nm 100 mW バタフライ半導体レーザー単体 FC-APCコネクタ付きSMFファイバー。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

2 695
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
OPTION : モデル3用PMファイバー
PN :
オプション-PM3

このオプションでは、Model 3は、標準のSMF28の代わりに偏波保持PM1300ファイバーを提供します。 コネクターキーも光の偏光も、スロー軸に沿って配置されている(この業界では標準的な構成)。

450
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
モデル3(100mW)、"CCS-CW "ドライバー使用時
PN :
1290LD-3-1-1

FC/APCコネクタ付きSMFファイバ1290nmバタフライ半導体レーザー搭載オープンCWドライバ 最大100mWのCW光パワー。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

4 790
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
モデル3(100mW)、"CCS "ドライバー使用時
PN :
1290LD-3-2-1

FC/APCコネクタ付きSMFファイバ1290nmバタフライ半導体レーザー搭載オープンパルス&CWドライバ 最大100mWのCW光パワー;最大1.5nsのパルス幅;最大4MHzのパルス繰り返し周波数。 OPTION2(250MHzバージョン)と互換性あり。PMバージョンもあり(Optionを選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

5 690
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
モデル3 (100 mW) "Shaper "ドライバー搭載
PN :
1290LD-3-3-1

1290nm 100mW 搭載オープンパルスドライバ 分解能0.5 ns、パルス幅最大8 µsのナノ秒パルス形状をユーザー設計可能(AWGパルス発生器を内蔵)。 パルス幅1.5 nsまで。 最大20 MHzのパルス繰り返しレート。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

7 690
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
1290 nm 半導体レーザー CCSI モジュール
モデル3(100mW)"CCSI-CW"モジュール。
PN :
1290LD-3-1-2

1290nm半導体レーザー内蔵ターンキーCWモジュール CWパワーは最大100mW。 FC/APC出力コネクタ付きSMFメタル保護PMファイバー出力。 オプション1(3mmコリメーター)およびオプション3(ベンチトップバージョン)に対応。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

5 990
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
1290 nm 半導体レーザー CCSI モジュール
モデル 3"(100 mW)"CCSI "モジュール
PN :
1290LD-3-2-2

1290nmパルス&CWレーザーダイオード内蔵型ターンキーモジュール FC/APC出力コネクタ付きSMFメタル保護ファイバー出力。 CW出力は最大100mW。 パルス幅1.5 nsまで。 最大4MHzのパルス繰り返しレート。 オプション-1(3mmコリメーター)、オプション-2(250MHzバージョン)、オプション-3(ベンチトップバージョン)に対応。 PMバージョンもあり(オプション選択)、1270~1650nmの他の波長でも使用可能。

6 890
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
Picture
ShortPN
Description
Docs
Price
Avalaible
Qty
1290 nm DFBレーザーダイオード - バタフライモジュール
モデル4 (120 mW)
PN :
1290LD-4-0-0

1290 nm 120 mW バタフライ半導体レーザー単体 FC-APCコネクタ付きSMFファイバー。 PMバージョンもあります - 下記よりお選びください。

2 845
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
OPTION : モデル4用PMファイバー
PN :
OPTION-PM4

本オプションを適用すると、標準のSMF28の代わりに偏波保持型のPM1300ファイバを使用したモデル4が提供されます。 コネクターキーも光の偏光も、スロー軸に沿って配置されている(この業界では標準的な構成)。

500
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
Model 4 (120 mW) "CCS-CW" ドライバ搭載
PN :
1290LD-4-1-1

FC/APCコネクタ付きSMFファイバ1290nmバタフライ半導体レーザー搭載オープンCWドライバ 最大120mWのCW光パワーを実現。 PMバージョンもあります - オプションを選択してください

4 940
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
Model 4 (120 mW) "CCS" ドライバ搭載
PN :
1290LD-4-2-1

FC/APCコネクタ付きSMFファイバ1290nmバタフライ半導体レーザー搭載オープンパルス&CWドライバ 最大120mWのCW光パワー;最大1.5nsのパルス幅;最大4MHzのパルス繰り返し周波数。 OPTION 2 (250MHz版)と互換性があります ; PM版もあります - オプションを選択してください。

5 840
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
Model 4 (120 mW) "Shaper" ドライバ搭載
PN :
1290LD-4-3-1

1290nm 120mW 半導体レーザー搭載オープンパルスドライバ 分解能0.5 ns、パルス幅最大8 µsのナノ秒パルス形状をユーザー設計可能(AWGパルス発生器を内蔵)。 パルス幅1.5 nsまで。 最大20 MHzのパルス繰り返しレート。 PMファイバーバージョンもあります - オプションを選択してください。

7 840
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
1290 nm 半導体レーザー CCSI モジュール
Model 4 (120 mW) "CCSI-CW" モジュール内蔵
PN :
1290LD-4-1-2

1290nm半導体レーザー内蔵ターンキーCWモジュール CWパワーは最大120mW。 FC/APC出力コネクタ付きSMFメタル保護ファイバー出力。 オプション1(3mmコリメーター)およびオプション3(ベンチトップバージョン)に対応。 PMファイバーバージョンもあります - オプションを選択してください。

6 140
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
1290 nm 半導体レーザー CCSI モジュール
Model 4 (120 mW) "CCSI" モジュール内蔵
PN :
1290LD-4-2-2

1290nmパルス&CWレーザーダイオード内蔵型ターンキーモジュール FC/APC出力コネクタ付きSMFメタル保護ファイバー出力。 最大120mWのCW出力 パルス幅1.5 nsまで。 最大4MHzのパルス繰り返しレート。 オプション-1(3mmコリメーター)、オプション-2(250MHzバージョン)、オプション-3(ベンチトップバージョン)に対応。 PMファイバーバージョンもあります - オプションを選択してください。

7 040
3〜4週間
Max:
Min: 1
Step: 1
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ShortPN
Description
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Price
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Qty
オプション1:3mm光コリメータ
PN :
オプション1

ARコーティングを施したビーム径3mmの小型光コリメーター。

445
今日
Max:
Min: 1
Step: 1
オプション2:250MHzの繰り返しレート
PN :
オプション-2

パルス&CW "レーザー・ダイオード・ドライバーおよび "パルス&CW "レーザー・ダイオード・モジュール専用の250 MHz内蔵パルス発生器(4 MHzまたは10 MHzの代わり)。

995
2〜5日
Max:
Min: 1
Step: 1
オプション3:OEMモジュールではなく最終ユーザー向けのベンチトップバージョン
PN :
オプション-3

当社のモジュールはすべて、OEM統合に理想的な製品です。 このオプションは、製品をベンチトップとして使用する際に、より多くの機能を追加します:ユーザー用のキー、前面のオン/オフスイッチなど。 このオプションは、CCSIおよびCCSI-CW統合モジュールでのみ利用可能です。

495
1〜2週間
Max:
Min: 1
Step: 1

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